協積實業 紹興東凱半導體

CVD設備核心清潔痛點與難點

          CVD（化學氣相沉積）是半導體薄膜沉積的關鍵工藝，其腔體、氣路、托盤等部件的潔凈度直接決定薄膜質量與晶圓良率，全流程清潔痛點突出：

• 沉積作業環節：CVD過程中易產生未完全反應的前驅體殘留、副產物顆粒，易附著在腔體內壁、氣路管道及托盤表面，形成頑固薄膜層，傳統清潔難以徹底清除，會導致后續沉積薄膜出現針孔、顆粒缺陷；
• 工藝切換環節：不同材質薄膜沉積切換時，殘留的金屬或介質雜質易造成交叉污染，接觸式清潔易刮傷腔體內壁的耐腐蝕涂層，破壞腔體氣密性；
• 高端制程環節：原子層沉積（ALD）等高端CVD工藝對潔凈度要求達到原子級，人工清潔效率極低、一致性差，接觸式清潔的二次損傷風險，進一步提升了清潔作業的技術難度。

東凱·非接觸式旋風清潔設備解決方案

          針對上述痛點，我們的設備可精準適配CVD腔體特性，提供高效清潔保障：

• 特種結構設計：多吸入口布局，配合定向氣流吹掃結構，高效收集前驅體殘留與顆粒副產物，抑制粉塵飛散，杜絕清潔過程中的二次污染；
• 穩定性能保障：大功率轉速監控+封閉性轉軸升級，供氣壓波動或即使達到5.0㎏/?時仍保持恒定轉速，適配CVD腔體的高溫環境，確保清潔力度均勻且不損傷內壁涂層；
• 精準高效清潔：基于現場經驗與氣流模擬算法，優化氣嘴材質與氣流參數，實現非接觸式精密除塵與殘膜吹掃，徹底清除腔體、氣路及托盤表面的頑固雜質；
• 降本提質優勢：可實現CVD腔體離線自動化清潔，減少人工干預，提升工藝切換效率與薄膜沉積良率，降低晶圓報廢成本，適配各類高端CVD工藝場景。